4月9日，陜西省人民政府發(fā)布《陜西省人民政府關于2023年度陜西省科學技術獎勵的決定》，西安紫光國芯SeDRAM®技術成果“三維異質集成高帶寬低功耗動態(tài)隨機存儲器芯片關鍵技術及應用”榮獲陜西省科學技術進步獎二等獎，成為少數(shù)幾個完全由企業(yè)自主研發(fā)的獲獎項目之一。

　　針對當前計算體系架構中普遍存在的處理器與存儲器性能不平衡的“存儲墻”困境，西安紫光國芯創(chuàng)新性地提出了一種三維異質集成DRAM架構。該架構顯著提高了訪存帶寬，降低了單位比特能耗，使得訪存效率獲得大幅提升，為海量數(shù)據(jù)搬運速度慢、搬運能耗大的性能瓶頸提供了領先的解決方案。

　　“計算機、手機等設備的處理器和存儲器之間有著大量的數(shù)據(jù)交換，就像我們生活中兩個近鄰城市之間有著大量的車輛往來，但常常因為各種道路條件的限制而出現(xiàn)通勤低效的問題，比如兩者之間沒有高速路，或是要通過高速-國道-省道等組合才能通勤。當前很多情況下，處理器和存儲器之間的大量數(shù)據(jù)交換也面臨著類似的嚴重的‘通勤問題’，技術人員一直在為解決這個問題而努力。”西安紫光國芯總經(jīng)理江喜平說，三維堆疊嵌入式DRAM技術通過在垂直方向堆疊計算單元和存儲單元來實現(xiàn)兩者的高密度直接互連，用超大帶寬存儲技術來解決處理器和存儲器之間的數(shù)據(jù)交換問題，就像在兩座近鄰城市之間修建了寬闊的直連高速，有效解決了數(shù)據(jù)交換時的“通勤問題”，讓計算機、手機等設備擁有更好的性能。