11月13至14日，2025年“中國芯”集成電路產業促進大會暨第二十屆“中國芯”優秀產品征集結果發布儀式舉行。儀式上，西安高新區企業紫光國芯“適配大模型應用的四層3D堆疊DRAM芯片(SeDRAM-P300)”產品憑借突出的技術創新能力，榮獲“中國芯”年度重大創新突破產品獎。

　　據了解，此次“中國芯”活動的所有獎項中，“年度重大創新突破產品”獎規格最高，旨在授予本年度在技術創新、市場占有率、填補國內技術或市場空白，國際競爭力及產業貢獻等方面均有重大突破的單款芯片產品。本屆“中國芯”優秀產品共征集到來自303家芯片企業的410款芯片產品報名，產品基本覆蓋整個集成電路領域。其中，“年度重大創新突破產品”獎僅有三款芯片入選，紫光國芯憑借其產品實力獲此殊榮。

　　本次獲獎的紫光國芯SeDRAM-P300產品是業內首款采用“四層DRAM堆疊”三維集成(WoW)技術并實現量產的產品方案，該產品通過創新的技術路徑，助力芯片性能實現極致釋放。 SeDRAM-P300芯片采用業界領先的四層晶圓堆疊(WoW)三維架構，前瞻性兼容8層堆疊。產品以標準化IP模式交付，具備卓越的易集成性，可兼容適配主流SoC設計流程。

　　“紫光國芯三維堆疊DRAM(SeDRAM®)技術歷經超過十年的技術積累與多代產品迭代，始終保持在行業的領先地位。”紫光國芯業務總經理左豐國表示，榮獲此獎，是業界對我們過往技術成果的高度認可，更是對公司創新實力與產業影響力的充分肯定。公司將依托SeDRAM®技術優勢，持續創新，不斷強化其市場競爭力，為用戶提供高性能存儲解決方案。

　　紫光國芯SeDRAM®技術已支持近40款芯片產品的研發與量產，憑借領先的技術實力和成熟的量產經驗可持續為客戶提供最優解決方案。(張楚翌 高新融媒記者 李聰迎 內容來源：紫光國芯)